IBM与三星共同研发VTFET技术未来可制造1nm或以下芯片
IBM与三星共同研发VTFET技术未来可制造1nm或以下芯片

爱游戏app体育:IBM与三星共同研发VTFET技术未来可制造1nm或以下芯片

发布时间: 2022-08-03 20:28:26 来源:爱游戏应用商店 作者:爱游戏客户端
  如今的半导体行业最尖端的制程工艺已经来到了3纳米,但这依旧不是人们探索的终点。  在今年上半年的时候,IBM就宣布全球首发2nm工艺,使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/平方
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  如今的半导体行业最尖端的制程工艺已经来到了3纳米,但这依旧不是人们探索的终点。

  在今年上半年的时候,IBM就宣布全球首发2nm工艺,使用了GAA环绕栅极晶体管技术,密度可达3.33亿晶体管/平方毫米,几乎是台积电5nm的两倍,也比外界预估台积电3nm工艺的2.9晶体管/平方毫米要高,指甲盖大小的芯片就有500亿晶体管。

  性能方面,IBM表示他们的2nm工艺在同样的电力消耗下,其性能比当前7nm高出45%,输出同样性能则减少75%的功耗。

  IBM的2nm工艺的纳米片为3层堆栈,高度75nm,宽度40nm,栅极长12nm,纳米片高度5nm。

  近日在加州旧金山举办的IEDM 2021国际电子元件会议中,IBM与三星共同公布了名为垂直传输场效应晶体管(VTFET)的芯片设计技术,该技术将晶体管以垂直方式堆叠,并且让电流也改以垂直方式流通,借此让晶体管数量密度再次提高之外,更大幅提高电源使用效率,并且突破目前在1nm制程设计面临瓶颈。

  据了解,与传统水平堆叠晶体管的设计相比,场效应晶体管的垂直传输将增加晶体管数量堆叠的密度,将计算速度提高两倍,并且通过允许电流垂直流动,还可以降低85%的功率损耗(性能和耐力不能同时结合)。

  而制成所带来的提升也是显而易见的,IBM和三星声称,这一过程有一天可以让手机一次充电使用一整周。同时还表示,它还可以使某些能源密集型任务(包括加密工作)更加节能,从而减少对环境的影响。

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